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##:投合穿戴设备精巧规划 电阻/二极管迈向超微化
编辑:admin 添加时间:2018-12-17

  电阻与二极体(Diode)将朝更微型化推动。跟着举动与穿戴式设备装备的功用更趋多元,其搭载的电阻、齐纳(Zener)二极体及萧特基(Schottky)二极体等离散式(Discrete)元件体积亦被要求朝更小尺度演进,也因而,罗姆(ROHM)已透过全新制程技能,打造超微型电阻与二极体,满意品牌商开发需求。

投合穿戴设备精巧规划 电阻/二极管迈向超微化

  罗姆株式会社董事暨离散式元件出产部本部长东克己(右1)表明,该公司已战胜量产微型化离散元件的技能窒碍,成功投产超微型化电阻及二极体元件。左一为董事长胜野英和、左二为FAE海外系长水源德健、右二为RASMID开发课课长玉川博词。

  罗姆株式会社Discrete制作本部本部长东克己表明,面临智慧型手机、穿戴式设备及消费性医疗电子设备等关于更细小化的离散式元件需求看涨,该公司已凭借全新制程,成功量产出超细小化电阻、齐纳二极体及萧特基二极体,其间电阻最小尺度仅0.2毫米×0.1毫米,预订将于2014年10月开端供货;而齐纳二极体与萧特基二极体则为0.4毫米×0.2毫米。

  据了解,因为电阻和二极体体积缩小简单献身电气特性,因而罗姆系选用首创晶片元件结构和超精细加工技能,藉此保持与传统0.6毫米×0.3毫米产品相同的电气特性,并完成更小型化和超薄化的规划。

  至于罗姆发布0.2毫米×0.1毫米齐纳二极体与萧特基二极体的时刻点,罗姆株式会社Discrete制作本部RASMID开发课课长玉川博词阐明,齐纳二极体和萧特基二极体归于p-n接面的晶片,因而微型化不易,短时刻内该公司将不会考虑推出0.2毫米×0.1毫米计划。

  虽然超微型化的离散元件单价较高,但东克己以为,因为超微型化电阻和二极体的电极、焊接及焊膏尺度小,因而全体物料清单(BOM)本钱亦跟着调降,体系业者不只不会垫高本钱,且能挟微型化优势进步产品的附加价值。